真空環境中進行加熱的設備。在金屬罩殼或石英玻璃罩密封的爐膛中用管道與高真空泵系統聯接。爐膛真空度可達133×（10-2～10-4）h。爐內加熱系統可直接用電阻爐絲（如鎢絲）通電加熱，也可用高頻感應加熱。zui高溫度可達3000℃左右。主要用于陶瓷燒成、真空冶煉、電真空零件除氣、退火、金屬件的釬焊，以及陶瓷-金屬封接等。真空爐一般由爐膛、電熱裝置、密封爐殼、真空系統、供電系統和控溫系統等組成。密封爐殼用碳鋼或不銹鋼焊成，可拆卸部件的接合面用真空密封材料密封。為防止爐殼受熱后變形...

●一款超高靈敏度的可燃氣體檢漏儀表。采用半導體的檢測原理，更適合尋找，檢測微漏可燃氣體的位置。體積小巧，操作簡便，攜帶方便，附帶柔性探頭，手感舒適。●可用于檢測甲烷、天然氣、煤氣、氫氣、丙烷（液化氣）、乙烷、乙炔、丁烷、正丁烷、異丁烷、戊烷、已烷，甲醇，乙醇，醚、丙酮，甲苯和汽油等。主要功能及特點:●采用日本進口傳感器●半導體傳感器高濃度保護功能●快速預熱，響應時間迅速●隨濃度變化的音頻報警信號●充電限流，過熱及過溫保護●快速檢測可燃氣體的泄漏點●加長柔性探頭，靈敏度可調●低...

一、電控柜的操作1.開水泵、氣源2.開總電源3.開維持泵、真空計電源，真空計檔位置V1位置，等待其值小于10后，再進入下一步操作。約需5分鐘。4.開機械泵、予抽，開渦輪分子泵電源、啟動，真空計開關換到V2位置，抽到小于2為止，約需20分鐘。5.觀察渦輪分子泵讀數到達250以后，關予抽，開前機和高閥繼續抽真空，抽真空到達一定程度后才能開右邊的高真空表頭，觀察真空度。真空到達2×10-3以后才能開電子槍電源。二、DEF-6B電子槍電源柜的操作1.總電源2.同時開電子槍控制Ⅰ和電子...

真空開關：控制管路或某封閉空間的真空度的開關。真空開關，為純機械形變導致微動開關動作。當壓力增加時，真空開關作用在不同的傳感壓力元器件（膜片、波紋管、活塞）產生形變，將向上移動，通過欄桿彈簧等機械結構，zui終啟動zui上端的微動開關，使電信號輸出。機械壓力開關設定方式從功能原理上均為連續位移型，設定點可單點設定并zui多可達到3個不同的設定點UE100系列真空壓力開關

隔膜真空泵，設計先進，工作效率高，使用壽命長，是集高新技術于一體的換代產品。主要應用于醫療醫藥產品分析、精細化工、生化制藥、食品檢驗、*刑偵技術等領域，是為其精密色譜儀器配套的產品，也是實驗室*的裝備之一。采用鋁合金壓鑄，防腐噴涂噴塑而成，輕巧美觀，適用范圍廣，氣室采用特氟倫處理，耐腐蝕程度高，可滿足各類工作環境的要求。

為了讓大家更好的了解SQC-310晶控，給使用者更多的方便，公司提供了SQC-310的中文說明書。

近幾十年來,磁控濺射技術已經成為zui重要的沉積鍍膜方法之一。廣泛應用于工業生產和科學研究領域。如在現代機械加工工業中,利用磁控濺射技術在工件表面鍍制功能膜、超硬膜、自潤滑薄膜。在光學領域,利用磁控濺射技術制備增透膜、低輻射膜和透明導膜,隔熱膜等。在微電子領域和光、磁記錄領域磁控濺射技術也發揮著重要作用。然而磁控濺射技術也有其自身的不足,如靶材利用率低、沉積速率低和離化率低等缺點。其中靶材利用率是由于靶面跑道的存在,使等離子體約束于靶面的局部區域,造成靶材的區域性濺射。跑道的...

脈沖電源：impulsingpowersource用戶的負載需要斷續加電，即按照一定的時間規律，向負載加電一定的時間，然后又斷電一定的時間，通斷一次形成一個周期。如此反復執行，便構成脈沖電源。例如對于無極性電解電容器的老練工藝中，需要給電容器正向充電一段時間，然后放電，然后反向給電容器充電一段時間，然后放電，如此便形成正向→放電（斷電）→反向→放電→正向……，如此反復。[編輯本段]脈沖電源技術的基本工作原理首先經過慢儲能，使初級能源具有足夠的能量；然后向中間儲能和脈沖成形系統...

P3000是專業用于生產環境下的全時性吸槍檢漏。為冰箱，冷柜，空調器，制冷元件和類似產品的裝配和中間生產測試提供高生產效率與可靠性。此文章為P3000的中文說明書。

INFICON公司的UL1000檢漏儀是一款操作方便，故障率低，非常成熟的產品。

中空玻璃北玻中空玻璃采用進口中空生產線，鋁條自動折彎，使整塊玻璃僅有一個接口（正常尺寸玻璃）；采用自動封閉分子篩灌裝系統，立式合片、立式自動打膠，從工藝上保證了中空玻璃的生產。與普通中空玻璃相比，打膠均勻、膠層中無氣泡藏匿，具有可靠的密封性能。同時外觀指標也明顯高于普通中空玻璃生產線生產的產品。北玻公司生產的中空玻璃露點等各項指標均優于國家標準。zui大規格（Max.Size）：2500mm×3500mmzui小規格（Min.Size）：250mm×300mmv經典彎鋼化玻璃...

《真空濺射技術》*章濺射技術2所謂“濺射”就是用荷能粒子（通常用氣體正離子）轟擊物體，從而引起物體表面原子從母體中逸出的現象。21842年Grove（格洛夫）在實驗室中發現了這種現象。21877年美國貝爾實驗室及西屋電氣公司首先開始應用濺射原理制備薄膜。21966年美國商用電子計算機公司應用高頻濺射技術制成了絕緣膜。21970年磁控濺射技術及其裝置出現，它以“高速”、“低溫”兩大特點使薄膜工藝發生了深刻變化，不但滿足薄膜工藝越來越復雜的要求，而且促進了新工藝的發展。2我國在1...